꿈의 공정 1나노 눈앞에 High-NA EUV 장비 경쟁 : 반도체 지도 바꿀 삼성 1나노, 지금 어디까지 왔나,
삼성전자 1나노 공정, TSMC 추격의 마지막 카드가 될까 반도체 초미세공정 · High-NA EUV 총정리 삼성전자 1나노 공정, TSMC 넘어설 마지막 승부수 될까 High-NA EUV 완전정복: 삼성·인텔·TSMC 장비 전쟁 정리 2030년 반도체 지도 바꿀 삼성 1나노, 지금 어디까지 왔나 인텔 6대 vs 삼성 2대, 하이 NA EUV 보유 대수로 본 파운드리 경쟁 개구수 0.55의 비밀, 삼성전자가 1나노에 거는 이유 꿈의 공정 1나노 눈앞에 High-NA EUV 장비 경쟁 : 반도체 지도 바꿀 삼성 1나노, 지금 어디까지 왔나 1. 삼성전자 1나노 공정, 왜 시작됐나 반도체 업계에서 '꿈의 공정'으로 불리는 1.0나노미터(nm) 파운드리 기술 개발이 삼성전자 반도체연구소에서 본격화됐다. 2나노급 최선단 공정 개발 인력 일부를 재배치해 전담 조직을 새로 꾸린 것으로 알려졌다. 현재 양산 중인 3나노와 올해 양산 예정인 2나노 영역에서는 TSMC와의 격차를 완전히 좁히지 못한 상황이다. TSMC의 2나노 수율이 이미 60%를 넘어섰다는 평가가 나오는 만큼, 삼성으로서는 다음 세대인 1나노대에서 판을 뒤집겠다는 승부수를 던진 셈이다. 이재용 회장이 임원들에게 "세상에 없는 기술로 미래를 만들자"고 강조한 이후 관련 개발이 조기 착수됐다는 후문도 전해진다. 2. 개발 현황: GAA 고도화와 노광 장비 전환 1나노 공정의 핵심은 두 축으로 요약된다. 하나는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조의 정교화이고, 다른 하나는 노광 장비를 기존 EUV에서 High-NA EUV로 전환하는 작업이다. 삼성전자는 지난해 경기 화성캠퍼스에 High-NA EUV 장비 1호기를 들여왔고, 2026년 상반기에는 2호기를 추가 반입했다. 관련 누적 투자액은 1조 원(약 7억 달러)을 넘어선 것으로 추산된다. 다만 회사 측은 2나노·1.4나노 공정에는 이 장비를 아직 적용하...
