반도체 생산 핵심 재료(4): 실리콘을 넘어서다, 질화갈륨(GaN) 개요 및 생산국가
반도체 생산 핵심 재료(4): 질화갈륨(GaN) 개요 및 생산국가 질화갈륨(GaN) 반도체 개요: 3세대 반도체의 핵심 질화갈륨(GaN)은 기존 실리콘의 물리적 한계를 돌파하며 3세대 반도체 의 핵심 소재로 급부상하고 있습니다. 넓은 밴드갭(약 3.4eV)을 기반으로 한 탁월한 물성 덕분에 고출력, 고주파, 고온 환경에서 혁신적인 성능을 발휘합니다.